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A2T18H455W23NR6

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Ficha técnica: A2T18H455W23NR6
Descripción: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Ganar 14.5dB
Serie -
Frecuencia 1.805GHz ~ 1.88GHz
Estado de la pieza Not For New Designs
Figura de ruido -
Corriente - Prueba 1.08A
Paquete / Caso OM-1230-4L2S
Potencia - Salida 56dBm
Voltaje - Prueba 31.5V
Tipo de transistor LDMOS
Voltaje - Clasificado 65V
Clasificación de corriente (amperios) 10µA
Paquete de dispositivos de proveedores OM-1230-4L2S

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$138.74 $135.97 $133.25
Mínimo: 1

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