La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
A2G35S160-01SR3
| Fabricantes: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ficha técnica: | A2G35S160-01SR3 |
| Descripción: | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ganar | 15.7dB |
| Serie | - |
| Frecuencia | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Active |
| Figura de ruido | - |
| Corriente - Prueba | 190mA |
| Paquete / Caso | NI-400S-2S |
| Potencia - Salida | 51dBm |
| Voltaje - Prueba | 48V |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Voltaje - Clasificado | 125V |
| Clasificación de corriente (amperios) | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | NI-400S-2S |
En stock 250 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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