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1N4448,113

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: 1N4448,113
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie -
Empaquetado Cut Tape (CT)
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso DO-204AH, DO-35, Axial
Número de pieza base 1N4448
Capacitancia : Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores ALF2
Tiempo de recuperación inversa (trr) 4ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 25nA @ 20V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 100V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 200mA (DC)
Temperatura de funcionamiento - Unión 200°C (Max)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1V @ 100mA

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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