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1N4448,113
| Fabricantes: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | 1N4448,113 |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie | - |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Tipo de diodo | Standard |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Número de pieza base | 1N4448 |
| Capacitancia : Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | ALF2 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 25nA @ 20V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 100V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 200mA (DC) |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | 200°C (Max) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1V @ 100mA |
En stock 91 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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