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TPS1120DR

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: TPS1120DR
Descripción: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 840mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base TPS1120
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.45nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.17A

En stock 1863 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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