La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
TPS1101DR
| Fabricantes: | NA |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TPS1101DR |
| Descripción: | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NA |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | +2V, -15V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 791mW (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOIC |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 11.25nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.3A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
En stock 68 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.94 | $0.92 | $0.90 |
Mínimo: 1
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