La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
CSD85312Q3E
| Fabricantes: | NA |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | CSD85312Q3E |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NA |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Característica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 2.5W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2390pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 39A |
En stock 2552 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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