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CSD85312Q3E

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: CSD85312Q3E
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie NexFET™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate, 5V Drive
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2.5W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-VSON (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15.2nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2390pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 39A

En stock 2552 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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