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CSD25304W1015

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CSD25304W1015
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) - Id 1.15V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 750mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-DSBGA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 595pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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