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CSD19536KTTT

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CSD19536KTTT
Descripción: MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs(th) (Max) - Id 3.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 375W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DDPAK/TO-263-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 153nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 12000pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 1984 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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