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BQ4013MA-120

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: BQ4013MA-120
Descripción: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tiempo de acceso 120ns
Tamaño de la memoria 1Mb (128K x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria NVSRAM
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Número de pieza base BQ4013
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 4.75V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 32-DIP Module (18.42x42.8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 120ns

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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