Image is for reference only , details as Specifications

BQ4010MA-70

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: BQ4010MA-70
Descripción: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tiempo de acceso 70ns
Tamaño de la memoria 64Kb (8K x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria NVSRAM
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Número de pieza base BQ4010
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 4.75V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 28-DIP Module (18.42x37.72)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 70ns

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

MT47H64M16HR-3:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT47H256M4HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
$0