NAND01GW3B2CN6E
Fabricantes: | Micron Technology Inc. |
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Categoría de producto: | Memory |
Ficha técnica: | NAND01GW3B2CN6E |
Descripción: | IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Micron Technology Inc. |
Categoría de producto | Memory |
Serie | - |
Empaquetado | Tray |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tiempo de acceso | 25ns |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Estado de la pieza | Obsolete |
Formato de memoria | FLASH |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Número de pieza base | NAND01G-A |
Interfaz de memoria | Parallel |
Voltaje - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 48-TSOP |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
En stock 70 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1