MT47H512M4THN-3:E TR
Fabricantes: | Micron Technology Inc. |
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Categoría de producto: | Memory |
Ficha técnica: | MT47H512M4THN-3:E TR |
Descripción: | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Micron Technology Inc. |
Categoría de producto | Memory |
Serie | - |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tiempo de acceso | 450ps |
Tamaño de la memoria | 2Gb (512M x 4) |
Tipo de memoria | Volatile |
Estado de la pieza | Obsolete |
Formato de memoria | DRAM |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 63-FBGA |
Frecuencia del reloj | 333MHz |
Número de pieza base | MT47H512M4 |
Interfaz de memoria | Parallel |
Voltaje - Suministro | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 63-FBGA (9x11.5) |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
En stock 77 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1