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MT47H512M4THN-3:E TR

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: MT47H512M4THN-3:E TR
Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tecnología SDRAM - DDR2
Tiempo de acceso 450ps
Tamaño de la memoria 2Gb (512M x 4)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 63-FBGA
Frecuencia del reloj 333MHz
Número de pieza base MT47H512M4
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 85°C (TC)
Paquete de dispositivos de proveedores 63-FBGA (9x11.5)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns

En stock 77 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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