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MT41K512M8V00HWC1
| Fabricantes: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Memory |
| Ficha técnica: | MT41K512M8V00HWC1 |
| Descripción: | IC DRAM 4G PARALLEL DIE |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoría de producto | Memory |
| Serie | - |
| Empaquetado | - |
| Tecnología | SDRAM - DDR3L |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Estado de la pieza | Active |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caso | - |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Voltaje - Suministro | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | - |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
En stock 87 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $10.73 | $10.52 | $10.31 |
Mínimo: 1
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