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MT41J512M8RH-107:E

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: MT41J512M8RH-107:E
Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SDRAM - DDR3
Tiempo de acceso 20ns
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 78-TFBGA
Frecuencia del reloj 933MHz
Número de pieza base MT41J512M8
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC)
Paquete de dispositivos de proveedores 78-FBGA (9x10.5)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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