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EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria 512Mb (16M x 32)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 134-VFBGA
Frecuencia del reloj 533MHz
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TC)
Paquete de dispositivos de proveedores 134-VFBGA (10x11.5)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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