La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
DS1230AB-120IND
| Fabricantes: | Maxim Integrated |
|---|---|
| Categoría de producto: | Memory |
| Ficha técnica: | DS1230AB-120IND |
| Descripción: | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Maxim Integrated |
| Categoría de producto | Memory |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Tiempo de acceso | 120ns |
| Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Formato de memoria | NVSRAM |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Número de pieza base | DS1230AB |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Voltaje - Suministro | 4.75V ~ 5.25V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 28-EDIP |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 120ns |
En stock 87 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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