La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SPU02N60C3BKMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPU02N60C3BKMA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 3.9V @ 80µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3Ohm @ 1.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO251-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 200pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 27 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.09 $1.07 $1.05
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

RCX080N25
ROHM Semiconductor
$1.08
FDMS039N08B
ON Semiconductor
$0
IRF640STRLPBF
Vishay / Siliconix
$0
SIR680DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
$0
TK35A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1