La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SPP08N80C3XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPP08N80C3XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.9V @ 470µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 60nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1100pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 470 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.14 $2.10 $2.06
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRFB7534PBF
Infineon Technologies
$2.13
TK9A90E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.11
FDPF085N10A
ON Semiconductor
$2.11
BUZ30AHXKSA1
Infineon Technologies
$2.08
SPA07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
$2.08