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SPI07N65C3HKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPI07N65C3HKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 3.9V @ 350µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 83W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 27nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 790pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 66 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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