La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SPB80P06PGATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPB80P06PGATMA1
Descripción: MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 5.5mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 23mOhm @ 64A, 10V
Disipación de energía (máx.) 340W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-3-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 173nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5033pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1766 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
$0
STP9NK50ZFP
STMicroelectronics
$1.74
PSMN1R1-40BS,118
Nexperia USA Inc.
$0
ATP304-TL-H
ON Semiconductor
$0
STF10N60M2
STMicroelectronics
$1.7