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SPB17N80C3ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPB17N80C3ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 3.9V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V
Disipación de energía (máx.) 227W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-3-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 177nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2300pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 3431 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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