La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SPB02N60S5ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPB02N60S5ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 80µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3Ohm @ 1.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-3-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 240pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 162 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NTMFS4941NT1G
ON Semiconductor
$0
BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
$0
BSC0909NSATMA1
Infineon Technologies
$0
SPB42N03S2L-13
Infineon Technologies
$0.58