La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SPA11N60C3XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPA11N60C3XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 3.9V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 33W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3-31 Full Pack
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 60nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1200pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.81 $1.77 $1.74
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SIHB15N65E-GE3
Vishay / Siliconix
$1.81
AOT25S65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.8
TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.8
AUIRF7737L2TR
Infineon Technologies
$1.8
FCP11N60N-F102
ON Semiconductor
$1.8