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PTAB182002TCV2R250XTMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ficha técnica: | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| Descripción: | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ganar | 14.8dB |
| Serie | - |
| Frecuencia | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Figura de ruido | - |
| Corriente - Prueba | 520mA |
| Paquete / Caso | H-49248H-4 |
| Potencia - Salida | 29W |
| Voltaje - Prueba | 28V |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Voltaje - Clasificado | 65V |
| Clasificación de corriente (amperios) | 10µA |
| Paquete de dispositivos de proveedores | H-49248H-4 |
En stock 70 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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