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PTAB182002TCV2R250XTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Ficha técnica: PTAB182002TCV2R250XTMA1
Descripción: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Ganar 14.8dB
Serie -
Frecuencia 1.805GHz ~ 1.88GHz
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Figura de ruido -
Corriente - Prueba 520mA
Paquete / Caso H-49248H-4
Potencia - Salida 29W
Voltaje - Prueba 28V
Tipo de transistor LDMOS
Voltaje - Clasificado 65V
Clasificación de corriente (amperios) 10µA
Paquete de dispositivos de proveedores H-49248H-4

En stock 70 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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