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ISP25DP06LMXTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: ISP25DP06LMXTSA1
Descripción: MOSFET P-CH 60V SOT223-4
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET P-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 270µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 250mOhm @ 1.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT223-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13.9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 420pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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