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ISP13DP06NMSATMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | ISP13DP06NMSATMA1 |
| Descripción: | MOSFET P-CH 60V SOT223-3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Vgs (máx.) | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-261-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | - |
| Disipación de energía (máx.) | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-SOT223 |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | - |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
En stock 97 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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