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ISP12DP06NMXTSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	ISP12DP06NMXTSA1
Descripción:	MOSFET P-CH 60V SOT223-4
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	P-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 520µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	125mOhm @ 2.8A, 10V
Disipación de energía (máx.)	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-SOT223-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	20.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	790pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V