ISP12DP06NMXTSA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | ISP12DP06NMXTSA1 |
Descripción: | MOSFET P-CH 60V SOT223-4 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | P-Channel |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 520µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-SOT223-4 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 20.2nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 790pF @ 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.8A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 55 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.38 | $0.37 | $0.36 |
Mínimo: 1