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IRLS3813PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRLS3813PBF
Descripción: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 2.35V @ 150µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.95mOhm @ 148A, 10V
Disipación de energía (máx.) 195W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 83nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 8020pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 160A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 83 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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