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IRLR4343TRL

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRLR4343TRL
Descripción: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 79W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-Pak
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 42nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 740pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 58 pcs

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