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IRLR3717TRRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRLR3717TRRPBF
Descripción: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.45V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 89W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-Pak
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 31nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2830pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 78 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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