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IRLML6302TR

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRLML6302TR
Descripción: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 540mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores Micro3™/SOT-23
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.6nC @ 4.45V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 97pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 780mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V

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