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IRLHS6342TR2PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRLHS6342TR2PBF
Descripción:	MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HEXFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	1.1V @ 10µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-PQFN (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	11nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1019pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	8.7A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V