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IRLHM620TR2PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRLHM620TR2PBF
Descripción:	MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HEXFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-VQFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	1.1V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PQFN (3x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	78nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3620pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	26A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V