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IRLH5030TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRLH5030TR2PBF
Descripción: MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 150µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PQFN (5x6) Single Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 94nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5185pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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