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IRL6342PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRL6342PBF
Descripción: MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 1.1V @ 10µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1025pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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