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IRL40T209ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRL40T209ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie StrongIRFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 0.72mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 500W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-HSOF-8-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 269nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 16000pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 300A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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