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IRL3502PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRL3502PBF
Descripción: MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 700mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7mOhm @ 64A, 7V
Disipación de energía (máx.) 140W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 110nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4700pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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