La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
IRFU9N20D
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IRFU9N20D |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Vgs(th) (Max) - Id | 5.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 86W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | IPAK (TO-251) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 27nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 560pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9.4A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 82 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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