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IRFU9N20D

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFU9N20D
Descripción: MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 86W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores IPAK (TO-251)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 27nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 560pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 82 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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