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IRFL1006PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFL1006PBF
Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-223
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 160pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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