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IRFI520N

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFI520N
Descripción: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 200mOhm @ 4.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB Full-Pak
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 330pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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