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IRFHS9301TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFHS9301TR2PBF
Descripción: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.4V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 37mOhm @ 7.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-PQFN (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 580pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A (Ta), 13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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