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IRFHM8363TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRFHM8363TR2PBF
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2.7W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Número de pieza base IRFHM8363PBF
Vgs(th) (Max) - Id 2.35V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1165pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A

En stock 54 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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