La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
IRFHM8363TR2PBF
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | IRFHM8363TR2PBF |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 2.7W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Número de pieza base | IRFHM8363PBF |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.35V @ 25µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 15nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1165pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 11A |
En stock 54 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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