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IRFHM830TRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFHM830TRPBF
Descripción: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-VQFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 2.35V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PQFN (3x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 31nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2155pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 4693 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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