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IRFHM792TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRFHM792TR2PBF
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2.3W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Número de pieza base IRFHM792PBF
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 10µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 251pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.3A

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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