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IRFH7911TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRFH7911TR2PBF
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2.4W, 3.4W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 18-PowerVQFN
Número de pieza base IRFH7911PBF
Vgs(th) (Max) - Id 2.35V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PQFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1060pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13A, 28A

En stock 60 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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