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IRFH7110TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFH7110TR2PBF
Descripción: MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-TQFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 87nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3240pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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