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IRFH5302DTRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRFH5302DTRPBF
Descripción:	MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HEXFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.35V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.5mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PQFN (5x6) Single Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	55nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3635pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	29A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V