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IRFH5210TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFH5210TR2PBF
Descripción: MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 14.9mOhm @ 33A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 59nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2570pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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