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IRFH5110TRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRFH5110TRPBF
Descripción:	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HEXFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	12.4mOhm @ 37A, 10V
Disipación de energía (máx.)	3.6W (Ta), 114W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-PQFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	72nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3152pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	11A (Ta), 63A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V