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IRFH4255DTRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRFH4255DTRPBF
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 31W, 38W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Número de pieza base IRFH4255
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 35µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PQFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1314pF @ 13V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 64A, 105A

En stock 68 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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